تراشه کمتر از یک نانومتر در جهان ساخته شد

«آی بی‌ام» اعلام کرد نخستین تراشه با ضخامت کمتر ازیک نانومتر در جهان را ساخته است.

کد خبر: ۱۳۸۱۴۸۴

تاریخ: ۰۵ تير ۱۴۰۵ - ۱۱:۵۵

به گزارش تابناک به نقل از انگجت؛ معماری جدید «نانوستک» (Nanostack) این شرکت می‌تواند به تولید تراشه‌هایی بسیار کارآمدتر منجر شود.

«آی بی‌ام» با استفاده از معماری جدید «نانوستک» توانسته دو میلیارد ترانزیستور را در تراشه‌ای به اندازه یک ناخن جای دهد.

این شرکت مدعی است با ساخت نخستین تراشه کمتر از یک نانومتر جهان، به یک جهش بزرگ در فناوری تراشه‌ها دست یافته است.

«آی بی‌ام» که در سال ۲۰۲۱ با استفاده از معماری «نانوشیت» (Nanosheet) موفق به ساخت تراشه دو نانومتری شده بود، اکنون اعلام کرده طراحی جدید «نانوستک» به آن اجازه داده یک تراشه عملیاتی هفت آنگسترومی (۰٫۷ نانومتری) تولید کند.

درنتیجه این پیشرفت، توسعه تراشه‌ای سیلیکونی با دو برابر چگالی نسبت به طراحی دو نانومتری قبلی است که نزدیک به ۱۰۰ میلیارد ترانزیستور را در فضایی به اندازه ناخن انسان جای می‌دهد.

«آی بی‌ام» می‌گوید این تعداد ترانزیستور بیشتر می‌تواند تراشه‌ای ارائه دهد که یا تا ۵۰ درصد عملکرد بالاتر داشته باشد، یا ۷۰ درصد بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به تراشه‌های دو نانومتری این شرکت فراهم کند.

«جی گامبتا»، مدیر بخش تحقیقات «آی بی‌ام» در این باره می‌گوید: این معماری جدید در آینده امکان دستیابی به توان محاسباتی به‌طور چشمگیری را بدون آنکه مصرف انرژی نیز به همان نسبت رشد کند، افزایش می‌دهد.

معماری جدید نانوستک بر پایه فناوری فعلی ترانزیستور‌های نانوشیت «آی بی‌ام» توسعه یافته است. این شرکت دریافته که می‌توان این ترانزیستور‌ها را به‌صورت عمودی روی هم قرار داد و با آرایش پلکانی چید. هر ترانزیستور از سه عنصر نانوشیت تشکیل شده که ضخامت هر یک حدود پنج و فاصله بین آنها تقریباً ۹ نانومتر است. برای درک بهتر ابعاد، هر نانوشیت تنها از ۱۵ ردیف اتم سیلیکون تشکیل شده است.

«آی بی‌ام» تخمین می‌زند حدود پنج سال زمان لازم است تا تراشه‌های مبتنی بر نانوستک به طور انبوه تولید شوند. با این حال، این زمان‌بندی ممکن است خوش‌بینانه باشد. زیرا شرکت ژاپنی Rapidus که شریک «آی بی‌ام» در زمینه تجاری‌سازی فناوری نانوشیت است، اوایل امسال اعلام کرد قصد دارد تولید انبوه تراشه‌های دو نانومتری را از نیمه دوم سال ۲۰۲۷ آغاز کند.